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(N+P)-MOSFET
Part
Vds Min (V)
ID (A)
RDS(on) (mΩ)
PD (W)
Vgs (±V)
Vth (V)
Ciss (pF)
Qg (nC)
Configuration
Package
HYG072N10LS1P
100
80
8
104
+20/-12
1~3
3070
54.3
single - N
TO-220FB-3L
HY1710B
100
70
18
150
25
2~4
4200
94
single - N
TO-263-2L
HY1710P
100
70
18
150
25
2~4
4200
94
single - N
TO-220FB-3L
HY1710MF
100
70
18
150
25
2~4
4200
94
single - N
TO-220MF-3L
HYG092N10LS1C2
100
60
9.6
62.5
20
1~3
2348
47
single - N
PDFN8L(5x6)
HY3010D
100
60
12
65
25
2~4
3197
81
single - N
TO-252-2L
HYG101N10LA1D
100
15
100
51.7
20
1~3
1072
26
single - N
TO-252-2L
HY1710D
100
44
18.5
75
25
2~4
4200
94
single - N
TO-252-2L
HYG072N10LS1S
100
14
8.6
5.4
+20/-12
1~3
2900
57
single - N
SOP8L
HY0910D
100
9
143
21
20
1~3
720
11
single - N
TO-252-2L
HYG130N10LS1S
100
11.5
13.4
3
20
1~3
1674
28.9
single - N
SOP8L
HY0310S
100
3
143
2
20
1~3
720
11
single - N
SOP8L
HY0810S
100
8
25
3.5
20
1~3
3400
78
single - N
SOP8L
HY5608W
80
360
2
500
25
2~4
14715
365
single - N
TO-247A-3L
HYG054N09NS1P
85
135
5.8
187.5
20
2~4
5067
88.5
single - N
TO-220FB-3L
HY5208W
80
320
2
416
25
2~4
12160
298
single - N
TO-247A-3L
HY4008B6
80
255
3.2
375
25
2~4
7457
209
single - N
TO-263-6L
HY4008W
80
200
3.5
397
25
2~4
7398
195
single - N
TO-247A-3L
HY4008B
80
200
3.5
345
25
2~4
8157
197
single - N
TO-263-2L
HY4008P
80
200
3.5
345
25
2~4
8157
197
single - N
TO-220FB-3L
HYG032N08NS1P
80
180
3.4
220.6
20
2~4
7520
118
single - N
TO-220FB-3L
HY3708W
80
170
4.5
348
25
2~4
6410
154
single - N
TO-247A-3L
HY3708B
80
170
5
288
25
2~4
6109
152
single - N
TO-263-2L
HY3708P
80
170
5
288
25
2~4
6109
152
single - N
TO-220FB-3L
HYG068N08NR1P
80
160
7.5
268
25
2~4
3722
84
single - N
TO-220FB-3L
说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;
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