深圳市优富瑞明科技有限公司

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N-MOSFET

名称:HYG072N10LS1S

参数:

Vds Min (V):100

ID@TC=25℃(A):14

RDS(on) Max 10V(mΩ):8.6

RDS(on) Max 4.5V(mΩ):12

PD@TC=25℃ (W):5.4

Vgs(±V):+20/-12

Vth (V):1~3

Ciss Typ(pF):2900

Qg Typ(nC):57

Configuration:single - N

Package:SOP8L

Status:

关键词:HYG072N10LS1S,HUAYI,SOP8L,

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;