深圳市优富瑞明科技有限公司

深圳市优富瑞明科技有限公司

N-MOSFET

名称:HYG101N10LA1D

参数:

Vds Min (V):100

ID@TC=25℃(A):15

RDS(on) Max 10V(mΩ):100

RDS(on) Max 4.5V(mΩ):125.0

PD@TC=25℃ (W):51.7

Vgs(±V):20

Vth (V):1~3

Ciss Typ(pF):1072

Qg Typ(nC):26

Configuration:single - N

Package:TO-252-2L

Status:

关键词:HYG101N10LA1D,HUAYI,TO-252-2L,

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;