深圳市优富瑞明科技有限公司

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P-MOSFET

名称:HYG200P10LR1P

参数:

Vds Min (V):-100

ID@TC=25℃(A):-80

RDS(on) Max 10V(mΩ):28

RDS(on) Max 4.5V(mΩ):32

PD@TC=25℃ (W):214

Vgs(±V):20

Vth (V):-1~-3

Ciss Typ(pF):11520

Qg Typ(nC):181

Configuration:single - P

Package:TO-220FB-3L

Status:

关键词:HYG200P10LR1P,HUAYI,TO-220FB-3L,

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;