深圳市优富瑞明科技有限公司

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P-MOSFET

名称:HYG800P10LR1D

参数:

Vds Min (V):-100

ID@TC=25℃(A):-20

RDS(on) Max 10V(mΩ):98

RDS(on) Max 4.5V(mΩ):110

PD@TC=25℃ (W):75

Vgs(±V):20

Vth (V):-1~-3

Ciss Typ(pF):3273

Qg Typ(nC):42.6

Configuration:single - P

Package:TO-252-2L

Status:

关键词:HYG800P10LR1D,HUAYI,TO-252-2L,

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;