深圳市优富瑞明科技有限公司

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P-MOSFET

名称:HYG110P04LQ1C2

参数:

Vds Min (V):-40

ID@TC=25℃(A):-50

RDS(on) Max 10V(mΩ):12

RDS(on) Max 4.5V(mΩ):18

PD@TC=25℃ (W):57.7

Vgs(±V):20

Vth (V):-1~-3

Ciss Typ(pF):3938

Qg Typ(nC):90

Configuration:single - P

Package:PDFN8L(5x6)

Status:

关键词:HYG110P04LQ1C2,HUAYI,PDFN8L(5x6),

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;