深圳市优富瑞明科技有限公司

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N-MOSFET

名称:HY3215I

参数:

Vds Min (V):150

ID@TC=25℃(A):120

RDS(on) Max 10V(mΩ):15

RDS(on) Max 4.5V(mΩ):N/A

PD@TC=25℃ (W):300

Vgs(±V):25

Vth (V):3~5

Ciss Typ(pF):5785

Qg Typ(nC):137

Configuration:single - N

Package:TO-262-3L

Status:

关键词:HY3215I,HUAYI,TO-262-3L,

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;