深圳市优富瑞明科技有限公司

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N-MOSFET

名称:HYG042N10NS1B

参数:

Vds Min (V):100

ID@TC=25℃(A):160

RDS(on) Max 10V(mΩ):4.2

RDS(on) Max 4.5V(mΩ):N/A

PD@TC=25℃ (W):200

Vgs(±V):20

Vth (V):2~4

Ciss Typ(pF):7040

Qg Typ(nC):119

Configuration:single - N

Package:TO-263-2L

Status:

关键词:HYG042N10NS1B,HUAYI,TO-263-2L,

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;