深圳市优富瑞明科技有限公司

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N-MOSFET

名称:HYG055N08NS1C2

参数:

Vds Min (V):80

ID@TC=25℃(A):85

RDS(on) Max 10V(mΩ):6

RDS(on) Max 4.5V(mΩ):N/A

PD@TC=25℃ (W):83.3

Vgs(±V):20

Vth (V):2~4

Ciss Typ(pF):3660

Qg Typ(nC):60

Configuration:single - N

Package:PDFN8L(5x6)

Status:

关键词:HYG055N08NS1C2,HUAYI,PDFN8L(5x6),

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;