深圳市优富瑞明科技有限公司

深圳市优富瑞明科技有限公司

N-MOSFET

名称:HYG018N06LS1C2

参数:

Vds Min (V):65

ID@TC=25℃(A):140

RDS(on) Max 10V(mΩ):2

RDS(on) Max 4.5V(mΩ):3.2

PD@TC=25℃ (W):68.1

Vgs(±V):20

Vth (V):1.2~2.5

Ciss Typ(pF):4624

Qg Typ(nC):104

Configuration:single - N

Package:PDFN8L(5x6)

Status:

关键词:HYG018N06LS1C2,HUAYI,PDFN8L(5x6),

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;