深圳市优富瑞明科技有限公司

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N-MOSFET

名称:HY2N7002E

参数:

Vds Min (V):60

ID@TC=25℃(A):0.2

RDS(on) Max 10V(mΩ):2900

RDS(on) Max 4.5V(mΩ):4700

PD@TC=25℃ (W):0.263

Vgs(±V):20

Vth (V):1.0~2.5

Ciss Typ(pF):14

Qg Typ(nC):0.3

Configuration:single - N

Package:SOT23-3L

Status:

关键词:HY2N7002E,HUAYI,SOT23-3L,

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;