深圳市优富瑞明科技有限公司

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N-MOSFET

名称:HYG010N03LR1B

参数:

Vds Min (V):30

ID@TC=25℃(A):320

RDS(on) Max 10V(mΩ):1

RDS(on) Max 4.5V(mΩ):1.6

PD@TC=25℃ (W):320

Vgs(±V):20

Vth (V):1~3

Ciss Typ(pF):9452

Qg Typ(nC):240

Configuration:single - N

Package:TO-263-2L

Status:

关键词:HYG010N03LR1B,HUAYI,TO-263-2L,

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;