深圳市优富瑞明科技有限公司

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(N+P)-MOSFET

名称:HYG110C03LR1D4

参数:

Vds Min (V):30/-30

ID@TC=25℃(A):25/-17

RDS(on) Max 10V(mΩ):14/30

RDS(on) Max 4.5V(mΩ):18/55

PD@TC=25℃ (W):21/21

Vgs(±V):20/20

Vth (V):1~3 /-1~-3

Ciss Typ(pF):762/1300

Qg Typ(nC):15.9/20.2

Configuration: N+P

Package:TO-252-4L

Status:

关键词:HYG110C03LR1D4,HUAYI,TO-252-4L,NCE30D2519

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;