深圳市优富瑞明科技有限公司

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P-MOSFET

说明:ID在TC=25℃测得;PD在TC=25℃测得;RDS在10V最大值条件下测得;Ciss为典型值;Qg为典型值;
Part Vds Min (V) ID (A) RDS(on) (mΩ) PD (W) Vgs (±V) Vth (V) Ciss (pF) Qg (nC) Configuration Package
HYG090P03LA1C1 -30 -40 9.5 25 20 -1~-3 2992 60 single - P DFN8L(0303)
HY15P03S -30 -15 8 3.1 20 -1~-3 4287 90 single - P SOP8L
HYG260P03LR1C1 -30 -20 29 21.4 20 -1~-3 1168 20.8 single - P DFN8L(0303)
HYG260P03LR1S -30 -8 30 3 20 -1~-3 1210 18.5 single - P SOP8L
HY12P03S -30 -12 13 3.1 20 -1~-3 2350 34 single - P SOP8L